Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMT67M8LCG-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMT67M8LCG-7-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 16A (Ta), 64.6A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Inventario:
13270099
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
DMT67M8LCG-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
16A (Ta), 64.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2130 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
900mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
V-DFN3333-8 (Type B)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
DMT67
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
31-DMT67M8LCG-7TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DMT67M8LCG-13
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
DMT67M8LCG-13-DG
PREZZO UNITARIO
0.34
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
DMT6017LFDF-7
MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
DMT67M8LCGQ-13
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
DMT12H065LFDF-13
MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
