DMT6015LFVW-7

Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMT6015LFVW-7

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMT6015LFVW-7-DG

Descrizione:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 60 V 10A (Ta), 31.8A (Tc) 2.8W (Ta), 28.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Inventario:

RFQ Online

12978754

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DMT6015LFVW-7 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Diodes Incorporated

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

60 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

10A (Ta), 31.8A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

2.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

15.7 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

808 pF @ 30 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.8W (Ta), 28.4W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount, Wettable Flank

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,000

Altri nomi

31-DMT6015LFVW-7TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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