DMT6009LFG-13
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMT6009LFG-13

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMT6009LFG-13-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8

Inventario:

12897137
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DMT6009LFG-13 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11A (Ta), 34A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1925 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI3333-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
DMT6009

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DMT6009LFG-13DI

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
DMT6009LFG-7
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
4168
NUMERO DI PEZZO
DMT6009LFG-7-DG
PREZZO UNITARIO
0.37
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
NUMERO DI PARTE
BSZ110N06NS3GATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
16802
NUMERO DI PEZZO
BSZ110N06NS3GATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.30
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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