DMT31M7LSS-13

Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMT31M7LSS-13

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMT31M7LSS-13-DG

Descrizione:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 30 V 25A (Ta), 78A (Tc) 1.7W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO

Inventario:

RFQ Online

12979014

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DMT31M7LSS-13 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Diodes Incorporated

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

30 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

25A (Ta), 78A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

3V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

84 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

5492 pF @ 15 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.7W (Ta), 5.9W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Altri nomi

31-DMT31M7LSS-13TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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