Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMT3009UDT-7

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMT3009UDT-7-DG

Descrizione:

MOSFET 2N-CH 30V 10.6A 8VDFN

Descrizione Dettagliata:

Mosfet Array 30V 10.6A (Ta), 30A (Tc) 1.1W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount V-DFN3030-8 (Type KS)

Inventario:

RFQ Online

13000611

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DMT3009UDT-7 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET

Produttore

Diodes Incorporated

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Configurazione

2 N-Channel (Dual) Common Source

Funzione FET

-

Tensione da drain a source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

10.6A (Ta), 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.1mOhm @ 11A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

1.8V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

14.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

894pF @ 15V

Potenza - Max

1.1W (Ta), 16W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

V-DFN3030-8 (Type KS)

Numero di prodotto di base

DMT3009

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

1,500

Altri nomi

31-DMT3009UDT-7TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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