Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMT12H060LCA9-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMT12H060LCA9-7-DG
Descrizione:
MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 115 V 3.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount X2-DSN1515-9
Inventario:
13002612
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DMT12H060LCA9-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
115 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±5.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
560 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
X2-DSN1515-9
Pacchetto / Custodia
9-SMD, No Lead
Numero di prodotto di base
DMT12
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
31-DMT12H060LCA9-7
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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