Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMT10H9M9SCT
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMT10H9M9SCT-DG
Descrizione:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 99A (Tc) 2.3W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12978966
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DMT10H9M9SCT Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
99A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.9V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2085 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.3W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
DMT10
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
31-DMT10H9M9SCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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