Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMT10H4M5LPS-13
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMT10H4M5LPS-13-DG
Descrizione:
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventario:
12895726
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DMT10H4M5LPS-13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
19A (Ta), 100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4843 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI5060-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
DMT10
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
DMT10H4M5LPS-13DI
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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