Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMT10H072LFV-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMT10H072LFV-7-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 4.7A (Ta), 20A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Inventario:
6289 Pz Nuovo Originale Disponibile
12888983
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
DMT10H072LFV-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.7A (Ta), 20A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.8V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
228 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI3333-8 (Type UX)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
DMT10
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
31-DMT10H072LFV-7DKR
31-DMT10H072LFV-7TR
DMT10H072LFV-7DI
DMT10H072LFV-7DI-DG
31-DMT10H072LFV-7CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
DMT6004LPS-13
MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
DMT4005SCT
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
DMTH4004SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
