DMT10H032LFVW-13
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMT10H032LFVW-13

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMT10H032LFVW-13-DG

Descrizione:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Inventario:

12979079
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

DMT10H032LFVW-13 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11.9 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
683 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount, Wettable Flank
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
DMT10

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
31-DMT10H032LFVW-13TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
DMT10H032LFVW-7
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
DMT10H032LFVW-7-DG
PREZZO UNITARIO
0.30
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
diodes

DMN2450UFB4Q-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

diodes

DMN2310UWQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

diodes

DMN61D9UT-13

2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K

diodes

DMN3061SW-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R