Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMT10H010SPS-13
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMT10H010SPS-13-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 10.7A (Ta), 113A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventario:
2400 Pz Nuovo Originale Disponibile
12882242
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DMT10H010SPS-13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10.7A (Ta), 113A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
56.4 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4468 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI5060-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
DMT10
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
DMT10H010SPS-13DIDKR
DMT10H010SPS-13DICT-DG
DMT10H010SPS-13DITR
DMT10H010SPS-13DITR-DG
DMT10H010SPS-13DIDKR-DG
31-DMT10H010SPS-13CT
DMT10H010SPS-13DICT
31-DMT10H010SPS-13DKR
31-DMT10H010SPS-13TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
BSZ097N10NS5ATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
19692
NUMERO DI PEZZO
BSZ097N10NS5ATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.72
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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