Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMT10H009SSS-13

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMT10H009SSS-13-DG

Descrizione:

MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 100 V 12A (Ta), 42A (Tc) 1.4W (Ta)

Inventario:

RFQ Online

12900955

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DMT10H009SSS-13 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Diodes Incorporated

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

12A (Ta), 42A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

29.8 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

2085 pF @ 50 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.4W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

Numero di prodotto di base

DMT10

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

DMT10H009SSS-13-DG

Schede dati

DMT10H009SSS-13

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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