DMP56D0UFB-7
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMP56D0UFB-7

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMP56D0UFB-7-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 50 V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3

Inventario:

4580 Pz Nuovo Originale Disponibile
12896330
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DMP56D0UFB-7 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
50 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 100mA, 4V
vgs(th) (massimo) @ id
1.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
0.58 nC @ 4 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
50.54 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
425mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
X1-DFN1006-3
Pacchetto / Custodia
3-UFDFN
Numero di prodotto di base
DMP56

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DMP56D0UFB-7DIDKR
DMP56D0UFB-7DITR
DMP56D0UFB-7DICT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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