DMP26M1UFG-7
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMP26M1UFG-7

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMP26M1UFG-7-DG

Descrizione:

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 71A (Tc) 1.67W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8

Inventario:

1980 Pz Nuovo Originale Disponibile
13000538
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

DMP26M1UFG-7 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
71A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5392 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.67W (Ta), 3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI3333-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
DMP26

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
31-DMP26M1UFG-7CT
31-DMP26M1UFG-7DKR
31-DMP26M1UFG-7TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
infineon-technologies

IAUCN04S6N013TATMA1

MOSFET_(20V 40V)

infineon-technologies

IAUCN04S6N007TATMA1

MOSFET_(20V 40V)

diodes

DMN3066LQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R