Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMP21D0UFB4-7R
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMP21D0UFB4-7R-DG
Descrizione:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 770mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventario:
2800 Pz Nuovo Originale Disponibile
12979470
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DMP21D0UFB4-7R Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
770mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
495mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
1.5 nC @ 8 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
76.5 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
430mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
X2-DFN1006-3
Pacchetto / Custodia
3-XFDFN
Numero di prodotto di base
DMP21
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
31-DMP21D0UFB4-7RDKR
31-DMP21D0UFB4-7RCT
31-DMP21D0UFB4-7RTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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