DMP2100UFU-13

Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMP2100UFU-13

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMP2100UFU-13-DG

Descrizione:

MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN

Descrizione Dettagliata:

Mosfet Array 20V 5.7A 900mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)

Inventario:

RFQ Online

12893899

Richiedi preventivo

Quantità
Minimo 1

(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore

INVIA

DMP2100UFU-13 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET

Produttore

Diodes Incorporated

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Configurazione

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

-

Tensione da drain a source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3.5A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

1.4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

21.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

906pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2030-6 (Type B)

Numero di prodotto di base

DMP2100

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

DMP2100UFU-13-DG

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

10,000

Altri nomi

DMP2100UFU-13DI

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Prodotti correlati

diodes

DMN32D4SDW-7

MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

diodes

DMN601DMK-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26

taiwan-semiconductor

TSM9933DCS RLG

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOP

diodes

DMT3006LDV-7

MOSFET 2N-CH 30V 25A POWERDI3333