Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMP1100UCB4-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMP1100UCB4-7-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 12 V 2.5A (Ta) 670mW (Ta) Surface Mount X2-WLB0808-4
Inventario:
6745 Pz Nuovo Originale Disponibile
12884663
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DMP1100UCB4-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.3V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
83mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
800mV @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
820 pF @ 6 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
670mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
X2-WLB0808-4
Pacchetto / Custodia
4-XFBGA, WLBGA
Numero di prodotto di base
DMP1100
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DMP1100UCB4-7DICT
DMP1100UCB4-7DITR
DMP1100UCB4-7DIDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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