Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMNH6035SPDW-13
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMNH6035SPDW-13-DG
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 60V 33A (Tc) 2.4W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type R)
Inventario:
12888802
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DMNH6035SPDW-13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
879pF @ 25V
Potenza - Max
2.4W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount, Wettable Flank
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI5060-8 (Type R)
Numero di prodotto di base
DMNH6035
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
DMNH6035SPDW-13DI-DG
31-DMNH6035SPDW-13TR
DMNH6035SPDW-13DI
31-DMNH6035SPDW-13CT
31-DMNH6035SPDW-13DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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