DMNH10H028SCT
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMNH10H028SCT

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMNH10H028SCT-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 2.8W (Ta) Through Hole TO-220-3

Inventario:

144 Pz Nuovo Originale Disponibile
12883382
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DMNH10H028SCT Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
31.9 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1942 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
DMNH10

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
-DMNH10H028SCTDI-5
DMNH10H028SCTDI-5

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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