DMN90H8D5HCTI
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMN90H8D5HCTI

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMN90H8D5HCTI-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Inventario:

12883041
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

DMN90H8D5HCTI Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
470 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
ITO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numero di prodotto di base
DMN90

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
diodes

DMG7401SFGQ-13

MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

diodes

DMP3056LVT-7

MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26

diodes

DMN80H2D0SCTI

MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

diodes

DMN2005UPS-13

MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060