Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN90H8D5HCT
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN90H8D5HCT-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12949076
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DMN90H8D5HCT Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
470 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
DMN90
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
DMN90H8D5HCT-DG
DMN90H8D5HCTDI
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STP2NK90Z
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
641
NUMERO DI PEZZO
STP2NK90Z-DG
PREZZO UNITARIO
0.76
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IXTP2N100
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTP2N100-DG
PREZZO UNITARIO
3.24
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IXTP2R4N120P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
14
NUMERO DI PEZZO
IXTP2R4N120P-DG
PREZZO UNITARIO
3.25
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IXTP2N100P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
136
NUMERO DI PEZZO
IXTP2N100P-DG
PREZZO UNITARIO
1.49
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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