Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Repubblica Democratica del Congo
Argentina
Turchia
Romania
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacchia
Italia
Finlandia
Belarus
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Montenegro
Russo
Belgio
Svezia
Serbia
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Moldavia
Germania
Paesi Bassi
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Francia
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Portogallo
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spagna
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN65D8LFB-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN65D8LFB-7-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventario:
RFQ Online
12895603
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
DMN65D8LFB-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
260mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
25 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
430mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
X1-DFN1006-3
Pacchetto / Custodia
3-UFDFN
Numero di prodotto di base
DMN65
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
DMN65D8LFB
Scheda Dati HTML
DMN65D8LFB-7-DG
Schede dati
DMN65D8LFB-7
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DMN65D8LFB-7DIDKR
DMN65D8LFB-7DITR
DMN65D8LFB-7DICT
DMN65D8LFB-7-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NX7002BKMYL
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
91465
NUMERO DI PEZZO
NX7002BKMYL-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
TSM120N06LCS RLG
MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
TSM4800N15CX6 RFG
MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26
TSM340N06CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252
TSM6N60CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252