Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN6069SEQ-13
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN6069SEQ-13-DG
Descrizione:
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 4.3A (Ta), 10A (Tc) 1.2W (Ta), 11W (Tc) Surface Mount SOT-223-3
Inventario:
13242548
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DMN6069SEQ-13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.3A (Ta), 10A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
825 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.2W (Ta), 11W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-223-3
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
31-DMN6069SEQ-13TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
Certificazione DIGI
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