DMN6022SSS-13

Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMN6022SSS-13

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMN6022SSS-13-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 6.9A 8SO

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 60 V 6.9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Inventario:

RFQ Online

12883422

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DMN6022SSS-13 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Diodes Incorporated

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

60 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

6.9A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

3V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

2110 pF @ 30 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Numero di prodotto di base

DMN6022

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

DMN6022SSS-13-DG

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Altri nomi

DMN6022SSS-13DI

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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