Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN3731UFB4-7B
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN3731UFB4-7B-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 1.2A (Ta) 520mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventario:
7920 Pz Nuovo Originale Disponibile
12883521
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DMN3731UFB4-7B Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
460mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
950mV @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
73 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
520mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
X2-DFN1006-3
Pacchetto / Custodia
3-XFDFN
Numero di prodotto di base
DMN3731
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
10,000
Altri nomi
DMN3731UFB4-7BDI-DG
DMN3731UFB4-7BDI
31-DMN3731UFB4-7BCT
31-DMN3731UFB4-7BDKR
31-DMN3731UFB4-7BTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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