DMN3730UFB4-7
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMN3730UFB4-7

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMN3730UFB4-7-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3

Inventario:

20540 Pz Nuovo Originale Disponibile
12882944
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DMN3730UFB4-7 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
750mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
460mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
950mV @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
64.3 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
470mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
X2-DFN1006-3
Pacchetto / Custodia
3-XFDFN
Numero di prodotto di base
DMN3730

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DMN3730UFB4-7TR
DMN3730UFB4-7CT
DMN3730UFB4-7DKR
DMN3730UFB47

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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