DMN33D9LV-13

Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMN33D9LV-13

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMN33D9LV-13-DG

Descrizione:

MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563

Descrizione Dettagliata:

Mosfet Array 30V 350mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount SOT-563

Inventario:

RFQ Online

12979066

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DMN33D9LV-13 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET

Produttore

Diodes Incorporated

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Configurazione

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

-

Tensione da drain a source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

350mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

1.4V @ 100µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

1.23nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

48pF @ 5V

Potenza - Max

430mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

Numero di prodotto di base

DMN33

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

10,000

Altri nomi

31-DMN33D9LV-13DKR

31-DMN33D9LV-13TR

31-DMN33D9LV-13CT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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