Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN32D2LFB4-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN32D2LFB4-7-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventario:
174069 Pz Nuovo Originale Disponibile
12888648
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DMN32D2LFB4-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 100mA, 4V
vgs(th) (massimo) @ id
1.2V @ 250µA
Vgs (massimo)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
39 pF @ 3 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
350mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
X2-DFN1006-3
Pacchetto / Custodia
3-XFDFN
Numero di prodotto di base
DMN32
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DMN32D2LFB4DITR
DMN32D2LFB4DICT
DMN32D2LFB4DIDKR
DMN32D2LFB47
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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