Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN3200U-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN3200U-7-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 2.2A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventario:
99540 Pz Nuovo Originale Disponibile
12888722
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DMN3200U-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
290 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
650mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
DMN3200
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
-DMN3200U-7DIDKR
DMN3200U-7DIDKR
-DMN3200U-7DICT
DMN3200U-7DITR
DMN3200U-7-DG
-DMN3200U-7DITR
DMN3200U-7DICT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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