Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN3032LE-13
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN3032LE-13-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 5.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Inventario:
159962 Pz Nuovo Originale Disponibile
12888176
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DMN3032LE-13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
498 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-223-3
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base
DMN3032
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
DMN3032LE-13DITR
DMN3032LE-13DICT
DMN3032LE-13DIDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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