DMN3022LDG-13

Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMN3022LDG-13

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMN3022LDG-13-DG

Descrizione:

MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333

Descrizione Dettagliata:

Mosfet Array 30V 7.6A (Ta), 15A (Tc) 1.96W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type D)

Inventario:

RFQ Online

12888605

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DMN3022LDG-13 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET

Produttore

Diodes Incorporated

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Configurazione

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

-

Tensione da drain a source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

7.6A (Ta), 15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V

vgs(th) (massimo) @ id

2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

481pF @ 15V, 996pF @ 15V

Potenza - Max

1.96W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8 (Type D)

Numero di prodotto di base

DMN3022

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

DMN3022LDG-13-DG

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

3,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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