Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN2710UFB-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN2710UFB-7-DG
Descrizione:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 720mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventario:
13002662
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DMN2710UFB-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±6V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
42 pF @ 16 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
720mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
X1-DFN1006-3
Pacchetto / Custodia
3-UFDFN
Numero di prodotto di base
DMN2710
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
31-DMN2710UFB-7
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DMN2710UFB-7B
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
DMN2710UFB-7B-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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