Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN2022UNS-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN2022UNS-7-DG
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 20V 10.7A (Ta) 1.2W Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXB)
Inventario:
4000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12884860
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DMN2022UNS-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.8mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
20.3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1870pF @ 10V
Potenza - Max
1.2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI3333-8 (Type UXB)
Numero di prodotto di base
DMN2022
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
DMN2022UNS-7-DG
DMN2022UNS-7DITR
DMN2022UNS-7DICT
DMN2022UNS-7DIDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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