DMN2015UFDF-7
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMN2015UFDF-7

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMN2015UFDF-7-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 15.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6

Inventario:

3000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12883810
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DMN2015UFDF-7 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
15.2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
42.3 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1439 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
U-DFN2020-6
Pacchetto / Custodia
6-UDFN Exposed Pad
Numero di prodotto di base
DMN2015

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
31-DMN2015UFDF-7DKR
DMN2015UFDF-7-DG
31-DMN2015UFDF-7TR
31-DMN2015UFDF-7CT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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