Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN2013UFDEQ-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN2013UFDEQ-7-DG
Descrizione:
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Inventario:
12986986
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DMN2013UFDEQ-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25.8 nC @ 8 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2453 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
660mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
U-DFN2020-6 (Type E)
Pacchetto / Custodia
6-PowerUDFN
Numero di prodotto di base
DMN2013
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
31-DMN2013UFDEQ-7TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DMN2013UFDE-7
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
3000
NUMERO DI PEZZO
DMN2013UFDE-7-DG
PREZZO UNITARIO
0.14
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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