Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN2011UFDF-13
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN2011UFDF-13-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 14.2A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventario:
9286 Pz Nuovo Originale Disponibile
12882798
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DMN2011UFDF-13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
14.2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2248 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
U-DFN2020-6 (Type F)
Pacchetto / Custodia
6-UDFN Exposed Pad
Numero di prodotto di base
DMN2011
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
10,000
Altri nomi
31-DMN2011UFDF-13DKR
31-DMN2011UFDF-13CT
31-DMN2011UFDF-13TR
DMN2011UFDF-13-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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