DMN2011UFDE-13

Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMN2011UFDE-13

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMN2011UFDE-13-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 20 V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)

Inventario:

RFQ Online

12888032

Richiedi preventivo

Quantità
Minimo 1

(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore

INVIA

DMN2011UFDE-13 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Diodes Incorporated

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

20 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

11.7A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 7A, 4.5V

vgs(th) (massimo) @ id

1V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

84 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

3372 pF @ 10 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

610mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2020-6 (Type E)

Pacchetto / Custodia

6-PowerUDFN

Numero di prodotto di base

DMN2011

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

DMN2011UFDE-13-DG

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

10,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Prodotti correlati

diodes

DMNH6021SK3-13

MOSFET N-CH 60V 50A TO252

diodes

DMN4034SSS-13

MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

diodes

DMG4468LFG-7

MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

diodes

DMN31D5L-7

MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R