DMN2004K-7
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMN2004K-7

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMN2004K-7-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventario:

31687 Pz Nuovo Originale Disponibile
12884103
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DMN2004K-7 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
630mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 540mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
150 pF @ 16 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
350mW (Ta)
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
DMN2004

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
DMN2004K
Scheda Dati HTML
DMN2004K-7-DG
Schede dati
DMN2004K-7

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DMN2004KDIDKR
DMN2004KDICT
DMN2004K7
DMN2004KDITR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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