Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN15M5UCA6-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN15M5UCA6-7-DG
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2117-6
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 12V 16.5A (Ta) 1.2W Surface Mount X4-DSN2117-6
Inventario:
RFQ Online
12987652
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
DMN15M5UCA6-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
16.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.3V @ 840µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
36.6nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
59pF @ 10V
Potenza - Max
1.2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-XFBGA, WLCSP
Pacchetto dispositivo fornitore
X4-DSN2117-6
Numero di prodotto di base
DMN15
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
DMN15M5UCA6
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
31-DMN15M5UCA6-7TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
SQJ980AEP-T1_BE3
MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
MMFTP6312D
MOSFET SOT26 P -20V 0.115OHM
DI003N03SQ2
MOSFET SO-8 N 30V 0.05OHM 150C
FF4MR12KM1HP
MOSFET