Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Repubblica Democratica del Congo
Argentina
Turchia
Romania
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacchia
Italia
Finlandia
Belarus
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Montenegro
Russo
Belgio
Svezia
Serbia
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Moldavia
Germania
Paesi Bassi
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Francia
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Portogallo
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spagna
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN10H220LVT-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN10H220LVT-7-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 1.87A (Ta) 1.67W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Inventario:
2779 Pz Nuovo Originale Disponibile
12884054
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
DMN10H220LVT-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.87A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
401 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.67W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TSOT-26
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numero di prodotto di base
DMN10
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
DMN10H220LVT
Scheda Dati HTML
DMN10H220LVT-7-DG
Schede dati
DMN10H220LVT-7
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DMN10H220LVT-7DICT
31-DMN10H220LVT-7DKR
DMN10H220LVT-7DITR
31-DMN10H220LVT-7CT
DMN10H220LVT-7DI-DG
DMN10H220LVT-7DI
31-DMN10H220LVT-7TR
DMN10H220LVT-7DIDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
DMN3009SK3-13
MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252
DMTH6006SPS-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
DMT6030LFDF-13
MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN
DMNH6012SPS-13
MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8