Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN10H120SFG-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN10H120SFG-7-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventario:
60281 Pz Nuovo Originale Disponibile
12883773
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DMN10H120SFG-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
10.6 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
549 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI3333-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
DMN10
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
1034-DMN10H120SFG-7DITR
DMN10H120SFG-7DITR
1034-DMN10H120SFG-7DICT
DMN10H120SFG-7-DG
DMN10H120SFG-7DIDKR
1034-DMN10H120SFG-7DIDKR
DMN10H120SFG-7DICT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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