Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN10H099SFG-13
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN10H099SFG-13-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventario:
12884748
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
DMN10H099SFG-13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1172 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
980mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI3333-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
DMN10
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DMN10H099SFG-7
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
1621
NUMERO DI PEZZO
DMN10H099SFG-7-DG
PREZZO UNITARIO
0.20
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
DMP4065S-13
MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23
DMT10H009LCG-7
MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
DMP26M7UFG-7
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
