Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN1023UCB4-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN1023UCB4-7-DG
Descrizione:
MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 12 V 5.1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4 (Type C)
Inventario:
12891750
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DMN1023UCB4-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tensione da drain a source (Vdss)
12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
2.3 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
288 pF @ 6 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
800mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
U-WLB1010-4 (Type C)
Pacchetto / Custodia
4-UFBGA, WLBGA
Numero di prodotto di base
DMN1023
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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