Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN1008UFDFQ-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN1008UFDFQ-7-DG
Descrizione:
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 12 V 12.2A (Ta) 700mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventario:
13000809
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DMN1008UFDFQ-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12.2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
23.4 nC @ 8 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
995 pF @ 6 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
700mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
U-DFN2020-6 (Type F)
Pacchetto / Custodia
6-UDFN Exposed Pad
Numero di prodotto di base
DMN1008
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
31-DMN1008UFDFQ-7TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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