Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMJ70H1D3SH3
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMJ70H1D3SH3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 700 V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH3)
Inventario:
12949687
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DMJ70H1D3SH3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
700 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13.9 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
351 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
41W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-251 (Type TH3)
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numero di prodotto di base
DMJ70
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
DMJ70H1D3SH3-DG
DMJ70H1D3SH3DI
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPS70R1K4P7SAKMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.18
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IPS80R600P7AKMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IPS80R600P7AKMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.69
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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