Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMG9N65CTI
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMG9N65CTI-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 9A ITO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 13W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventario:
12887780
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DMG9N65CTI Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2310 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
13W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
ITO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numero di prodotto di base
DMG9
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
DMG9N65CTIDI
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STF7N65M2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
72
NUMERO DI PEZZO
STF7N65M2-DG
PREZZO UNITARIO
0.59
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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