Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMG8N65SCT
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMG8N65SCT-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Inventario:
12883489
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DMG8N65SCT Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1217 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB (Type TH)
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
DMG8N65
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFP7N80PM
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFP7N80PM-DG
PREZZO UNITARIO
4.60
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IXFP7N80P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
299
NUMERO DI PEZZO
IXFP7N80P-DG
PREZZO UNITARIO
2.31
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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