Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMG7N65SJ3
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMG7N65SJ3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
Inventario:
12884126
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DMG7N65SJ3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
-
Serie
Automotive, AEC-Q101
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
886 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-251
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
DMG7N65
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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