Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMG7N65SCT
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMG7N65SCT-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 7.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Inventario:
12883977
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
DMG7N65SCT Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
-
Serie
Automotive, AEC-Q101
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
886 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB (Type TH)
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
DMG7N65
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFP7N80PM
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFP7N80PM-DG
PREZZO UNITARIO
4.60
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IXFP7N80P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
299
NUMERO DI PEZZO
IXFP7N80P-DG
PREZZO UNITARIO
2.31
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
DMN7022LFGQ-13
MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333
DMN4008LFG-13
MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
DMN3071LFR4-7R
MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN
