DMG6602SVTX-7
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMG6602SVTX-7

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMG6602SVTX-7-DG

Descrizione:

MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 30V 3.4A (Ta), 2.8A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount TSOT-26

Inventario:

4623 Pz Nuovo Originale Disponibile
12902661
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DMG6602SVTX-7 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
N and P-Channel Complementary
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V, 9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
400pF @ 15V, 420pF @ 15V
Potenza - Max
840mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore
TSOT-26
Numero di prodotto di base
DMG6602

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
31-DMG6602SVTX-7CT
31-DMG6602SVTX-7TR
31-DMG6602SVTX-7DKR
DMG6602SVTX-7-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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